等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
CPT-CCP-350CJ-A
所屬公司：
由安徽省金屹等離子體電源科技有限公司出品
| 應(yīng)用范圍 |
用于沉積SiOx、SiNx 和SixNy、非晶硅、類金剛石薄膜，光學(xué)薄膜、阻隔膜等。可廣泛應(yīng)用于高校和科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。 |
| 系統(tǒng)簡介 |
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新型制備技術(shù)。相比較其他沉積技術(shù)，如PVD和熱CVD相比,PECVD可以在相對(duì)較低的溫度下沉積出高均勻性薄膜。此外，對(duì)于SiO2,SiNx, a-Si, SiON 和DLC等材料的沉積，PECVD沉積技術(shù)提供了優(yōu)秀的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。系統(tǒng)主要由真空腔體、加熱系統(tǒng)、等離子體電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。 |
| 產(chǎn)品特點(diǎn) |
外觀結(jié)構(gòu)緊湊，方便移動(dòng)、操作簡單、維保方便。 適配多種等離子體源，可選配具有沐浴頭電極的電容耦合等離子體源、空心陰極射頻等離子體源、感應(yīng)耦合等離子體源或微波等離子體源等。 配置有偏壓接入接口，可根據(jù)工藝需要選配射頻或直流脈沖偏壓。 成膜均勻性好，可實(shí)現(xiàn)大面積成膜，最大可達(dá)8英寸。 智能化的觸摸屏控制系統(tǒng)，設(shè)置有急停保護(hù)和安全聯(lián)鎖。 |
| 設(shè)備參數(shù) | 真空室尺寸 | 極限真空度 |
| Φ350*H300mm | 6.5×10-5Pa | |
| 抽真空時(shí)間 | 真空泵 | |
| 連續(xù)40min內(nèi),≤8×10-4Pa | 機(jī)械泵+分子泵 | |
| 射頻電源 | 基片臺(tái) | |
| 13.56MHz，1.0kW | Φ100mm | |
| 基片加熱溫度 | 氣路系統(tǒng) | |
| ≤600℃ | 4-8路 | |
| 控制方式 | 備注 | |
| 手動(dòng)/自動(dòng)一體化方式、觸摸屏操作 | 可根據(jù)客戶需求定制設(shè)計(jì) |
全國服務(wù)熱線：
地址：安徽省合肥市高新區(qū)望江西路
900號(hào)中安創(chuàng)谷科技園一期D3幢
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